Vocabulario Electrotécnico Parte Tres Terminología Empleada en Dispositivos Semiconductores.

Extracto

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Vocabulario Electrotécnico Parte Tres Terminología Empleada en Dispositivos Semiconductores.

PROYECTO de Norma Oficial Mexicana NOM -075-SCT1-1994, Vocabulario electrotécnico parte tres terminología empleada en dispositivos semiconductores.

Al margen un sello con el Escudo Nacional, que dice: Estados Unidos Mexicanos.- Secretaría de Comunicaciones y Transportes.- Subsecretaría de Comunicaciones y Desarrollo Tecnológico.- Comité Consultivo Nacional de Normalización de Comunicaciones y Tecnologías de la Información.

ANDRES MASSIEU BERLANGA, Presidente del Comité Consultivo Nacional de Normalización de Comunicaciones y Tecnologías de la Información, con fundamento en lo dispuesto en los artículos 1o., 38 fracción II; 40 fracciones III, IV, VI y XVI; 47 fracción I de la Ley Federal sobre Metrología y Normalización, expide el siguiente PROYECTO DE NORMA OFICIAL Mexicana NOM-075-SCT1-1994, VOCABULARIO ELECTROTECNICO PARTE TRES TERMINOLOGIA EMPLEADA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

El presente Proyecto de Norma Oficial Mexicana NOM -075-SCT1-1994, fue aprobado por el Comité Consultivo Nacional de Normalización de Comunicaciones y Tecnologías de la Información, en sesión celebrada el 15 de julio de 1994, expidiéndose para consulta pública de conformidad con el artículo 47, fracción I de la Ley Federal sobre Metrología y Normalización, a efecto de que dentro de los siguientes 90 días naturales, contados a partir de la fecha de su publicación en el Diario Oficial de la Federación, los interesados presenten sus comentarios ante el Comité Consultivo Nacional de Normalización de Comunicaciones y Tecnologías de la Información, sito en Avenida de las Telecomunicaciones s/n, Delegación Iztapalapa, código postal 09310, México, D.F., IMC Secretaría Técnica del CCNN-CTI, para que en términos de la Ley se considere en su seno lo propuesto.

México, D.F., a los 30 de agosto de 1994.- El Presidente del Comité Consultivo Nacional de Normalización de Comunicaciones y Tecnologías de la Información, Andrés Massieu Berlanga.- Rúbrica.

PREFACIO

En la elaboración de la presente Norma participaron las siguientes entidades públicas y privadas:

Dirección General de Normas de Sistemas de Difusión de la Subsecretaría de Comunicaciones y Desarrollo Tecnológico de la Secretaría de Comu nicaciones y Transportes.

Instituto Mexicano de Comunicaciones (IMC).

Cámara Nacional de la Industria Electrónica y Comunicaciones Eléctricas (CANIECE). Telecomunicaciones de México (TELECOMM).

Asimismo es pertinente señalar que ésta fue elaborada tomando como referencia la Norma Oficial Mexicana que se tenía establecida bajo el número NOM-I-101/03-1985, que fue publicada en el Diario Oficial de la Federación el 11 de febrero de 1987.

INDICE

CAPITULO CONTENIDO

1. OBJETIVO Y CAMPO DE APLICACION

2. REFERENCIAS

3. DEFINICIONES

3.1. GENERALIDADES

3.1.1. TERMINOS FISICOS

3.1.2 TIPOS DE DISPOSITIVOS

3.1.3. TERMINOS GENERALES

3.1.4. TERMINOS RELACIONADOS CON CARACTERISTICAS Y VALORES LIMITES

3.1.5. TEMPERATURAS

3.1.6. CARACTERISTICAS

3.2. DIODOS

3.2.1. DIODOS DE SEÑAL DE BAJA POTENCIA

3.2.1.1. TERMINOS RELACIONADOS A CARACTERISTICAS Y VALORES

3.2.2. DIODOS DE REFERENCIA DE TENSION Y DIODOS REGULADORES DE TENSION

3.2.2.1. TERMINOS GENERALES

3.2.2.2. TERMINOS RELACIONADOS CON CARACTERISTICAS Y VALORES LIMITE

3.2.3. DIODOS RECTIFICADORES

3.2.3.1. TERMINOS GENERALES

3.2.3.2. TERMINOS RELACIONADOS CON CARACTERISTICAS Y VALORES

3.2.4. DIODOS TUNEL

3.2.4.1. TERMINOS GENERALES

3.2.4.2. TERMINOS RELATIVOS A GAMAS Y CARACTERISTICAS

3.3. TRANSISTORES

3.3.1. TIPOS DE TRANSISTORES

3.3.2. TERMINOS GENERALES

3.3.3. CONFIGURACION DE CIRCUITOS

3.3.4. TERMINOS RELACIONADOS CLASIFICACION Y CARACTERISTICAS

3.4. TIRISTOR

3.4.1. TIPOS DE TIRISTORES

3.4.2. TERMINOS GENERALES

3.4.3. TERMINOS RELATIVOS A CLASIFICACION Y CARACTERISTICAS

3.5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

3.5.1. TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

3.5.2. TERMINOS GENERALES

3.5.3. TERMINOS RELATIVOS A CARACTERISTICAS Y MODOS DE OPERACION

3.5.4. CLASIFICACION DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

3.6. DISPOSITIVOS DE EFECTO HALL

3.6.1. TERMINOS GENERALES

3.7. MICROCIRCUITOS INTEGRADOS

3.7.1. TERMINOS GENERALES

3.7.2. TIPOS DE DISPOSITIVOS

3.7.3. LISTA DE VALORES DE TENSION PREFERIDOS

3.7.4. CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES

3.7.5. CIRCUITOS ANALOGICOS INTEGRADOS

3.7.5.1. AMPLIFICADORES LINEALES

3.7.6. CIRCUITOS INTEGRADOS PASIVOS

3.7.6.1. ATENUADORES

3.7.7. MEMORIAS EN CIRCUITOS INTEGRADOS

3.7.7.1. TERMINOS GENERALES

3.7.7.2. TIPO DE MEMORIA

3.7.7.3. TERMINOS RELATIVOS A VALORES LIMITES Y SUS CARACTERISTICAS

3.8. DISPOSITIVOS MAGNETORESISTIVOS

3.8.1. TERMINOS GENERALES

3.9. DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS

3.9.1. TIPOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRONICOS

4. CONCORDANCIA CON NORMAS Y RECOMENDACIONES INTERNACIONALES APENDICE (INFORMATIVO)

APENDICE A INDICE GENERAL

BIBLIOGRAFIA

DISPOSICIONES TRANSITORIAS

"VOCABULARIO ELECTROTECNICO PARTE TRES TERMINOLOGIA EMPLEADA E...

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